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中科大发明新型半金属磁性质料

2016-02-11

本报讯 (记者 桂运安)记者4月11日从中科大获悉,该校杨金龙传授研究组日前发明一种新型半金属磁性质料,使得制备可在常温情况下事情的自旋电子器件成为大概。研究成就颁发在国际知名学术期刊 《美国化学会志》上。

自旋电子器件基于电子自旋举办信息通报、处理惩罚与存储,对比于传统半导体电子器件,氯化铋,具有存储密度高、能耗低、响应快等利益,硬盘磁头是自旋电子学规模最早贸易化的产物。另外,六氯化钨,另有很多布满潜力的应用,如磁性随机内存、自旋场发射晶体管、自旋发光二极管等。个中,半金属磁性质料由于可以提供完全自旋极化的载流子,被视为构建自旋电子器件的抱负质料。为使自旋电子器件能在常温下事情,半金属磁性质料必需具有高于室温的铁磁居里温度、较宽的半金属能隙,氮化硼,以及显著的磁各向异机能,此前人们还没有找到同时满意这些条件的磁性质料。

杨金龙传授研究组基于两种已经存在的物质,2,5-二疏基-1,3,4-噻二唑,设计一种新型层状合金质料。这种质料是与传统“1111”型铁基超导体同构的反铁磁半导体质料,但可以诱导该质料从反铁磁半导体转酿成铁磁半金属。理论预测新质料的居里温度、半金属能隙均能到达要求,纳米银磁性材料,磁各向异机能比已得到的半金属质料高一至两个数量级,这一成就有望对自旋电子器件研究和应用发生重要影响。