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详解LED外延芯片工艺流程及晶片分类

2018-10-11

     近十几年来,为了开拓蓝色高亮度发光二极管,Silver powder,世界各地相关研究的人员无不全力投入。而贸易化的产物如蓝光及绿光发光二级管LED及激光二级管LD 的应用无不说明白III-V 族元素所储藏的潜能。

  在今朝商品化LED 之质料及其外延技能中,赤色及绿色发光二极管之外延技能大多为液相外延生长法为主,二硼化铝,而黄色、橙色发光二极管今朝仍以气相外延生长法生长磷砷化镓GaAsP 质料为主。

  一般来说,GaN 的生长必要很高的温度来打断NH3 之N-H 的键解,别的一方面由动力学仿真也得知NH3 和MO Gas 会举办回响发生没有挥发性的副产品。

  LED 外延片工艺流程如下:

  衬底 - 布局设计- 缓冲层发展- N型GaN 层发展- 多量子阱发光层生- P 型GaN 层发展- 退火- 检测(光荧光、X 射线) - 外延片;

  外延片- 设计、加工掩模版- 光刻- 离子刻蚀- N 型电极(镀膜、退火、刻蚀) - P 型电极(镀膜、退火、刻蚀) - 划片- 芯片分检、分级

  详细先容如下:

  牢靠:将单晶硅棒牢靠在加工台上。

  切片:将单晶硅棒切成具有准确几许尺寸的薄硅片。此进程中发生的硅粉回收水淋,发生废水和硅渣。

  退火:双工位热氧化炉经氮气吹扫后,用红外加热至300~500℃,Cadmium selenide powder,硅片外貌和氧气产生回响,使硅片外貌形成二氧化硅掩护层。

  倒角:将退火的硅片举办修整成圆弧形,防备硅片边沿割裂及晶格缺陷发生,增加磊晶层及光阻层的平坦度。此进程中发生的硅粉回收水淋,发生废水和硅渣。

  分档检测:为担保硅片的规格和质量, Nickel protoxide powder,对其举办检测。此处会发生废品。

  研磨:用磨片剂撤除切片和轮磨所造的锯痕及外貌损伤层,有效改进单晶硅片的曲度、平坦度与平行度,到达一个抛光进程可以处理惩罚的规格。此进程发生废磨片剂。