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复旦大学研发新型存储技能 写入速度比今朝U盘快1万倍―科研成长―中国教诲和科研计较机网CERNET

2018-04-16

  克日,复旦大学微电子学院传授张卫、周鹏团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技能,办理了国际半导体电荷存储技能中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的困难。北京时间4月10日,相关成就以长文形式在线颁发于《自然·纳米技能》,题为《用于准非易失应用的范德瓦尔斯布局半浮栅存储》。

  今朝半导体电荷存储技能主要有两类,Boron Nitride powder,第一类是易失性存储,譬喻计较机的内存,可在几纳秒阁下写入数据,但掉电后数据会当即消失;第二类长短易失性存储,譬喻U盘,需要几微秒到几十微秒才气把数据生存下来,但在写入数据后无需特别能量可生存10年。

  新型电荷存储技能可以或许实现全新的第三类存储特性:写入速度比今朝U盘快1万倍,数据刷新时间是内存技能的156倍,而且拥有卓越的调控性,可以实现凭据数据有效时间需求设计存储器布局。它既满意了10纳秒写入数据速度,又实现了按需定制(10秒—10年)的可调控数据准非易失特性;既可以在高速内存中极大低落存储功耗,boron doped Silicon powderSilicon powder,还可以实现数据有效期截至后自然消失,为一些非凡应用场景办理了保密性和传输的抵牾。

  这项研究创新性地选择了二硫化钼、二硒化钨、二硫化铪、氮化硼等多重二维质料堆叠组成了半浮栅布局晶体管,二硫化锡,制成路线能谷布局的范德瓦尔斯异质结。个中一部门如同一道可随手开关的门,电子易进难出;另一部门则像一面密不透风的墙,电子难以收支。对“写入速度”与“非易失性”的调控,就在于这两部门的比例。这一重要打破,从技能界说、布局模子到机能阐明的全进程,均由复旦大学科研团队独立完成。《自然·纳米技能》的专家评审意见称其为“范德瓦尔斯异构布局器件成长的一个重要里程碑”。