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中科院上海微系统所石墨烯/六方氮化硼平面异质结研究获希望

2017-09-15

本报讯(记者黄辛)中科院上海微系统与信息技能研究研究员谢晓明团队回收化学气相沉积(CVD)要领乐成制备出单原子层高质量石墨烯/六方氮化硼平面异质结,并将其乐成应用于WSe2/MoS2二维光电探测器件。相关研究成就日前颁发于《先进科学》。

石墨烯和六方氮化硼(h-BN)布局相似但电学性质迥异。石墨烯/六方氮化硼平面异质结的制备一般回收依次沉积石墨烯和h-BN,可能相反序次来实现,氮化硅,由于后续薄膜形核节制坚苦以及发展进程中回响气体很容易对前序薄膜发生粉碎,Silver powder,因而今朝文献陈诉石墨烯/六方氮化硼平面异质结的质量不尽如人意。

研究人员基于铜镍合金衬底发展高质量h-BN和石墨烯薄膜的研究基本,Copper powder,通过先沉积h-BN单晶后发展石墨烯, 纳米石墨,乐成制备了高质量石墨烯/h-BN 平面异质结。同时,该课题组与美国莱斯大学传授相助,以石墨烯作为打仗电极,h-BN 作为绝缘衬底,制备了WSe2/MoS2二维光电探测器,验证了石墨烯/h-BN平面异质结的质量和电学机能,为基于该异质结质料平台开展基本研究和二维逻辑集成电路应用摸索提供了基本。